Транзистор IRF540N (MOSFET, 100V, 33A, TO-220)

Силовой МОП-транзистор (MOSFET) третьего поколения IRF540 обеспечивает лучшие сочетания быстрого пер..

32 р.

Лидер продаж

Транзистор IRFZ44N (MOSFET, 55V, 47A, TO-220) IOR

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Этот мощный..

32 р.

-15%

Стабилизатор напряжения LM338K регулируемый (1.2-32В, 5А) STM

Технические характеристики стабилизатора LM338:Обеспечения выходного напряжения: от 1,2 до 32 ВТок н..

230 р. 195 р.

Лидер продаж

Транзистор 2N2222 (NPN, 0.6А, 30В)

Характеристики транзистора 2N2222:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная..

3 р.

Лидер продаж

Транзистор 2N2907 (PNP, 0.6А, 60В)

Характеристики транзистора 2N2907:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная..

3 р.

Лидер продаж

Транзистор 2N3904 (NPN, 0.2А, 40В)

Характеристики транзистора 2N3904:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная пост..

3 р.

Транзистор 2N3906 (PNP, 0.2А, 40В)

Характеристики транзистора 2N3906:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная пост..

3 р.

Транзистор A1015 (PNP, 0.15А, 50В)

Характеристики транзистора A1015:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

3 р.

Лидер продаж

Транзистор BC327 (PNP, 0.8А, 50В)

Характеристики транзистора BC327:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

3 р.

Лидер продаж

Транзистор BC337 (NPN, 0.8А, 50В)

Характеристики транзистора BC337:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

3 р.

Транзистор BC547C (NPN, 0.1А, 45В)

Характеристики транзистора BC547C:Структура: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ..

3 р.

Транзистор C1815 (PNP, 0.15А, 50В)

Характеристики транзистора C1815:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

3 р.

Лидер продаж

Транзистор S8050 (NPN, 0.5А, 40В)

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

3 р.

Транзистор S8550 (PNP, 0.5А, 40В)

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

3 р.

Транзистор КТ3107Е (PNP, 0.1А, 25В, TO92)

Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжен..

7 р.

Транзисторы