The IRF7343PBF is a 55V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resi..

23 р.

Серия 78L05 - это линейные регуляторы монолитных интегральных цепей напряжения.Изделие предназначено..

4 р.

-15%

Технические характеристики стабилизатора LM338:Обеспечения выходного напряжения: от 1,2 до 32 ВТок н..

230 р. 195 р.

Характеристики транзистора 2N2222:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная..

3 р.

Характеристики транзистора 2N2907:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная..

3 р.

Характеристики транзистора 2N3904:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная пост..

3 р.

Характеристики транзистора 2N3906:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная пост..

3 р.

Характеристики транзистора 2SA1015:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельна..

3 р.

Характеристики транзистора 2SC1815:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельна..

3 р.

Характеристики транзистора BC327:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

3 р.

Характеристики транзистора BC337:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

3 р.

Характеристики транзистора BC547C:Структура: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ..

3 р.

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

3 р.

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

3 р.

Транзисторы